Институт физики полупроводников СО РАН получил 113 миллионов — на что потратят деньги

Институту физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН выделили субсидию в 113,5 миллиона рублей из федерального бюджета. Об этом сообщает пресс-служба учреждения.

Научная организация рассчитывает купить на эти деньги оборудование, в том числе установку для производства жидкого азота вместе с системой автоматической подачи.

— Мы надеемся, что установка для производства жидкого азота позволит покрыть все потребности института в этом веществе. Жидкий азот используется при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Например, в термостатированном корпусе ИФП СО РАН функционируют три установки МЛЭ, и чтобы обеспечить их одновременную работу, нужна автоматическая система подачи сжиженного газа. Такую систему мы тоже планируем купить на средства гранта, — пояснил заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН, доктор физико-математических наук Александр Милёхин.

Метод молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет выращивать полупроводниковые структуры, контролируя их состав на уровне отдельных атомов. В институте объяснили, что это один из лучших способов создания новых полупроводниковых материалов. Жидкий азот используется на всём протяжении технологического цикла.

Кроме того, на средства гранта институт планирует купить и 3D-профилометр — это микроскоп, атомно-силовой и сканирующий электронные микроскопы и установку термической обработки полупроводниковых пластин.

Милёхин подчеркнул, что 50% закупаемого оборудования — российского производства.

Ранее Институт катализа СО РАН подписал соглашение на строительство «СКИФа». Стоимость работ составит 5,8 млрд рублей, работы должны быть завершены к маю 2023 года. В контракт включено строительство части зданий ЦКП «СКИФ», которые необходимы для запуска инжекционного комплекса к концу 2023 года.